FD1000R33HE3-K
Infineon Technologies AGMô tả: | Trans IGBT Module N-CH 3300V 1KA 9600W 9-Pin IHVB190-3 Tray |
Nước xuất xứ: | Germany |
Đã cập nhật:03-DEC-2024 | |
Phiên bản trực tuyến:https://www.datasheets.com/vi/part-details/fd1000r33he3-k-infineon-technologies-ag-43247945
Tổng quan
Hiểu rõ thông tin chung cơ bản, thuộc tính và đặc điểm cơ bản của thành phần, cùng với việc tuân thủ các tiêu chuẩn và quy định ngành công nghiệp.
Vòng đờiPremium
EU RoHSYes with Exemption
Phiên Bản RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Ô Tô No
Mã Lồng Nhà Cung CấpC6489
8541290095
Lịch Trình B8541290080
PPAP No
Được Chứng Nhận AEC No
Đường dẫn danh mục
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Modules
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Modules
Tờ dữ liệu
Hiểu đầy đủ về thành phần điện tử bằng cách tải xuống bảng dữ liệu kỹ thuật của nó. Tài liệu PDF này bao gồm tất cả các thông tin cần thiết, như tổng quan sản phẩm, tính năng, thông số kỹ thuật, xếp hạng, sơ đồ, ứng dụng và nhiều hơn nữa.
Xem trước bảng dữ liệu
(Latest Phiên bản)Tham số
Thông tin tham số hiển thị các tính năng quan trọng và các chỉ số hiệu suất của thành phần, giúp kỹ sư và quản lý chuỗi cung ứng so sánh và lựa chọn thành phần điện tử phù hợp nhất cho ứng dụng và nhu cầu của họ.
Bạn phải đăng nhập để xem thông tin bị hạn chế.
dòng sản phẩm
Maximum Junction Temperature
Process Technology
Minimum Storage Temperature
Supplier Temperature Grade
Maximum Storage Temperature
Typical Collector Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Leakage Current
Tradename
Technology
Channel Type
Configuration
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Maximum Continuous Collector Current
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature