BSB012N03MX3 G
Infineon Technologies AGMô tả: | OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET |
Ngày giới thiệu: | Nov 11, 2008 |
Đã cập nhật:+90 ngày | |
Xem thêm MOSFETs bởi Infineon Technologies AG | |
Phiên bản trực tuyến:https://www.datasheets.com/vi/part-details/bsb012n03mx3-g-infineon-technologies-ag-61176980
Tổng quan
Hiểu rõ thông tin chung cơ bản, thuộc tính và đặc điểm cơ bản của thành phần, cùng với việc tuân thủ các tiêu chuẩn và quy định ngành công nghiệp.
Vòng đờiPremium
EU RoHS Yes
Phiên Bản RoHS2011/65/EU
Đường dẫn danh mục
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs
Tờ dữ liệu
Hiểu đầy đủ về thành phần điện tử bằng cách tải xuống bảng dữ liệu kỹ thuật của nó. Tài liệu PDF này bao gồm tất cả các thông tin cần thiết, như tổng quan sản phẩm, tính năng, thông số kỹ thuật, xếp hạng, sơ đồ, ứng dụng và nhiều hơn nữa.
Xem trước bảng dữ liệu
(Latest Phiên bản)Tham số
Thông tin tham số hiển thị các tính năng quan trọng và các chỉ số hiệu suất của thành phần, giúp kỹ sư và quản lý chuỗi cung ứng so sánh và lựa chọn thành phần điện tử phù hợp nhất cho ứng dụng và nhu cầu của họ.
Bạn phải đăng nhập để xem thông tin bị hạn chế.
dòng sản phẩm
Breakdown Voltage Type
Minimum DC Current Gain
Typical Switch Charge
Typical Gate Resistance
Typical Reverse Recovery Charge
Typical Forward Transconductance
Tradename
Minimum Gate Threshold Voltage
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Maximum Offset Voltage
Maximum Positive Gate Source Voltage
Minimum Gate Resistance
Maximum Gate Resistance
Typical Gate Threshold Voltage
Typical Diode Forward Voltage
Maximum Diode Forward Voltage
Typical Reverse Recovery Time
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Maximum Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Maximum Gate Source Leakage Current
Minimum Storage Temperature
Typical Gate to Drain Charge
Typical Gate to Source Charge
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Supplier Temperature Grade
Typical Turn-On Delay Time
Configuration
Maximum Absolute Continuous Drain Current
Danh mục
Channel Mode
Channel Type
Number of Elements per Chip
Process Technology
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Material
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Maximum IDSS
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Input Capacitance @ Vds
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Typical Output Capacitance