MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
Micron TechnologyAçıklama: | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray |
Menşei ülke: | China |
Tanıtım tarihi: | Dec 16, 2020 |
Güncellendi:09-OCT-2024 | |
Daha fazlasını görüntüle DRAM Chip tarafından Micron Technology | |
Çevrimiçi versiyon:https://www.datasheets.com/tr/part-details/mt53e512m32d1zw-046-it-b-micron-technology-1845249514
Genel Bakış
Bileşenin temel genel bilgileri, özellikleri ve karakteristikleriyle birlikte endüstri standartlarına ve yönetmeliklere uyumu hakkında bilgi edinin.
Yaşam DöngüsüPremium
AB RoHS Yes
RoHS Sürümü2011/65/EU, 2015/863
Kategori Yolu
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Parametrik
Parametrik bilgiler, bileşenin önemli özelliklerini ve performans metriklerini görüntüler ve bu, mühendislerin ve tedarik zinciri yöneticilerinin uygulamaları ve ihtiyaçları için en uygun elektronik bileşeni karşılaştırmasına ve seçmesine yardımcı olur.
Kısıtlı bilgileri görüntülemek için giriş yapmanız gerekmektedir.
ürün hattı
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
Tip
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits