MT53E512M64D2HJ-046 WT:B
Micron TechnologyAçıklama: | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 512Mx64 1.1V/1.8V 556-Pin TFBGA |
Güncellendi:13-NOV-2024 | |
Daha fazlasını görüntüle DRAM Chip tarafından Micron Technology | |
Çevrimiçi versiyon:https://www.datasheets.com/tr/part-details/mt53e512m64d2hj-046-wt-b-micron-technology-1849012696
Genel Bakış
Bileşenin temel genel bilgileri, özellikleri ve karakteristikleriyle birlikte endüstri standartlarına ve yönetmeliklere uyumu hakkında bilgi edinin.
Yaşam DöngüsüPremium
AB RoHS Yes
RoHS Sürümü2011/65/EU, 2015/863
Kategori Yolu
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Parametrik
Parametrik bilgiler, bileşenin önemli özelliklerini ve performans metriklerini görüntüler ve bu, mühendislerin ve tedarik zinciri yöneticilerinin uygulamaları ve ihtiyaçları için en uygun elektronik bileşeni karşılaştırmasına ve seçmesine yardımcı olur.
Kısıtlı bilgileri görüntülemek için giriş yapmanız gerekmektedir.
ürün hattı
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
Tip
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits