STH310N10F7-6
STMicroelectronics説明: | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R |
原産国: | China |
導入日: | Oct 19, 2011 |
更新済み:14-DEC-2024 | |
オンライン版:https://www.datasheets.com/ja/part-details/sth310n10f7-6-stmicroelectronics-51678677
概要
コンポーネントの基本的な一般情報、特性、および特徴について理解してください。また、業界の基準や規制に適合しているかどうかも確認してください。
ライフサイクルプレミアム
EU RoHSYes with Exemption
RoHSバージョン2011/65/EU, 2015/863
EAR99
自動車 No
供給者CAGEコードSCR76
8541290095
スケジュールB8541290080
PPAP No
AEC認定 No
カテゴリーパス
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs
データシート
データシートをダウンロードすることで、電子部品の包括的な理解を得ることができます。このPDFドキュメントには、製品の概要、特徴、仕様、評価、ダイアグラム、応用例など、必要なすべての詳細が含まれています。
データシートのプレビュー
(Latest バージョン)製造
製造情報には、部品の製造および組み立てのための技術要件と仕様が明記されています。この情報は、製造業者が部品の品質と信頼性を維持し、他のデバイスや部品との互換性を確保するために重要です。
パラメーター
パラメトリック情報には、部品の重要な特徴や性能指標が表示されます。これにより、エンジニアやサプライチェーンマネージャーは、自身のアプリケーションやニーズに最も適した電子部品を比較・選択することができます。
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生産ライン
Breakdown Voltage Type
Minimum DC Current Gain
Typical Switch Charge
Typical Gate Resistance
Typical Reverse Recovery Charge
Typical Forward Transconductance
Tradename
Minimum Gate Threshold Voltage
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Maximum Offset Voltage
Maximum Positive Gate Source Voltage
Minimum Gate Resistance
Maximum Gate Resistance
Typical Gate Threshold Voltage
Typical Diode Forward Voltage
Maximum Diode Forward Voltage
Typical Reverse Recovery Time
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Maximum Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Maximum Gate Source Leakage Current
Minimum Storage Temperature
Typical Gate to Drain Charge
Typical Gate to Source Charge
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Supplier Temperature Grade
Typical Turn-On Delay Time
Configuration
Maximum Absolute Continuous Drain Current
カテゴリー
Channel Mode
Channel Type
Number of Elements per Chip
Process Technology
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Material
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Maximum IDSS
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Input Capacitance @ Vds
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Typical Output Capacitance
参考設計
参考設計のコレクションでインスピレーションとガイダンスを引き出してください。電子部品の能力を示す実用的な実装を探索してください。詳細なドキュメンテーションと回路図で開発プロセスを加速し、効率的なソリューションを作成してください。
CAD モデル
コンポーネントの3D CADモデル、シンボル、およびフットプリントにアクセスしてください。その構造と寸法を視覚化し、デザインを統合し、パフォーマンスを効果的に最適化してください。
