MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR
Micron TechnologyDescription: | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R |
Date d'introduction: | May 10, 2022 |
Mis à jour:13-NOV-2024 | |
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Version en ligne:https://www.datasheets.com/fr/part-details/mt53e512m32d1zw-046-wt-b-tr-micron-technology-1851656290
Aperçu
Familiarisez-vous avec les informations générales fondamentales, les propriétés et les caractéristiques du composant, ainsi que sa conformité aux normes et réglementations de l'industrie.
Cycle de viePremium
UE RoHS Yes
Version RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Automobile No
Code CAGE du fournisseur6Y440
PPAP No
Qualifié AEC No
Chemin de catégorie
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Paramétrique
Les informations paramétriques affichent les caractéristiques essentielles et les mesures de performance du composant, ce qui aide les ingénieurs et les responsables de la chaîne d'approvisionnement à comparer et choisir le composant électronique le plus approprié pour leurs applications et besoins.
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gamme de produits
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
Type
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits
