PDTB123YT/A2
NexperiaBeschreibung: | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 3-Pin TO-236AB |
Herkunftsland: | China |
Einführungsdatum: | Jul 6, 2010 |
Aktualisiert:09-DEC-2024 | |
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Online-Version:https://www.datasheets.com/de/part-details/pdtb123yt-a2-nexperia-82227260
Überblick
Machen Sie sich mit den grundlegenden allgemeinen Informationen, Eigenschaften und Merkmalen des Bauteils vertraut, sowie mit seiner Einhaltung von Branchenstandards und Vorschriften.
LebenszyklusPremium
EU-RoHS Unknown
RoHS-Version2002/95/EC
Automobil No
Lieferanten-Cage-CodeH2HX9
PPAP No
AEC-qualifiziert No
Kategoriepfad
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Digital BJT - Pre-Biased
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Digital BJT - Pre-Biased
Datenblatt
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