PDTB123YT,215

PDTB123YT,215

Nexperia

Beschreibung:

Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

Herkunftsland:

China

Einführungsdatum:

Jul 6, 2010

Aktualisiert:10-DEC-2024

Überblick

Machen Sie sich mit den grundlegenden allgemeinen Informationen, Eigenschaften und Merkmalen des Bauteils vertraut, sowie mit seiner Einhaltung von Branchenstandards und Vorschriften.

LebenszyklusPremium
EU-RoHS Yes
RoHS-Version2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Automobil No
Lieferanten-Cage-CodeH2HX9
8541210075
SCHEDULEB8541210080
PPAP No
AEC-qualifiziert No
Kategoriepfad
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Digital BJT - Pre-Biased

Datenblatt

Erhalten Sie ein umfassendes Verständnis des elektronischen Bauteils, indem Sie das Datenblatt herunterladen. Dieses PDF-Dokument enthält alle erforderlichen Details wie Produktübersicht, Merkmale, Spezifikationen, Bewertungen, Diagramme, Anwendungen und mehr.

Vorschau des Datenblatts

(Latest Version)

Parametrisch

Die parametrischen Informationen zeigen wichtige Merkmale und Leistungskennzahlen des Bauteils auf, was Ingenieuren und Supply-Chain-Managern hilft, das am besten geeignete elektronische Bauteil für ihre Anwendungen und Bedürfnisse zu vergleichen und auszuwählen.

productlijn
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Minimum DC Current Gain Range
Collector Current for VCE Saturation
Maximum Transition Frequency
Minimum Transition Frequency
Number of Elements per Chip
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Maximum Base Current
Typical Base Emitter Resistor
Typical Current Gain Bandwidth
Operating Junction Temperature
Typ
Configuration
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Continuous DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Typical Input Resistor
Typical Resistor Ratio
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Minimum DC Current Gain
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

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