MT53E512M64D2HJ-046 WT:B

MT53E512M64D2HJ-046 WT:B

Micron Technology

描述:

DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 512Mx64 1.1V/1.8V 556-Pin TFBGA

更新:13-NOV-2024

概述

熟悉元件的基本一般資訊、特性和特點,以及其符合產業標準和法規的情況。

生命週期高級
歐盟RoHS Yes
RoHS版本2011/65/EU, 2015/863
類別路徑
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip

參數

參數資訊顯示了元件的重要特性和性能指標,這有助於工程師和供應鏈經理比較和選擇最適合他們應用和需求的電子元件。

生產線
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
類型
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits

替代型號

有興趣獲取更多免費數據嗎?

發現來自另一家製造商的相似產品,或是合適的升級降級方案等等,還有更多。

升級為高級版

無需信用卡。無需承諾。