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2N1050B
New Jersey Semiconductor描述: | Trans GP BJT 120V 0.75A 40000mW |
產地: | United States of America |
推出日期: | Aug 7, 2014 |
更新: 04-DEC-2024 | |
線上版本:https://www.datasheets.com/zh-tw/part-details/2n1050b-new-jersey-semiconductor-61466153
概述
熟悉元件的基本一般資訊、特性和特點,以及其符合產業標準和法規的情況。
生命週期高級
歐盟RoHS 未知狀態
RoHS版本2002/95/EC
EAR99
汽車 不是
供應商CAGE代碼2D085
PPAP 不是
AEC合格 不是
類別路徑
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
數據手冊
透過下載元件的規格表來全面了解電子元件。這份 PDF 文件包含了所有必要的詳細資訊,如產品概述、特點、規格、評級、圖表、應用等等。
製造
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