STGIPQ3H60T-HZ
STMicroelectronics描述: | IPM IGBT 600V 3A 26-Pin N2DIP Tube |
产地: | China |
推出日期: | Feb 21, 2013 |
更新:10-DEC-2024 | |
在线版本:https://www.datasheets.com/zh-cn/part-details/stgipq3h60t-hz-stmicroelectronics-75535284
概述
熟悉该组件的基本一般信息、属性和特征，以及其与行业标准和法规的符合情况。
生命周期高级
欧盟RoHSYes with Exemption
RoHS版本2011/65/EU, 2015/863
EAR99
汽车 No
供应商CAGE代码SCR76
PPAP No
AEC认证 No
类别路径
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Other > Intelligent Power Modules - IPMs
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Other > Intelligent Power Modules - IPMs
技术资料
通过下载该电子元件的数据手册来全面了解其。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、特性、规格、评级、图表、应用等等。
数据表预览
(Latest 版本)制造
制造信息指定了生产和组装该组件的技术要求和规格。这些信息对于制造商来说至关重要，以保持组件的质量和可靠性，并确保其与其他设备和组件兼容。
参数
参数信息显示了该组件的重要特性和性能指标，这有助于工程师和供应链经理比较和选择最适合其应用和需求的电子组件。
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生产线
Process Technology
Temperature Flag
Protection Type
Number of Phases
Typical Collector Emitter Saturation Voltage
Maximum Storage Temperature
Maximum Power Dissipation
Configuration
Maximum Collector-Emitter Cut-Off Current
Minimum Storage Temperature
Tradename
类型
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Continuous Collector Current
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Maximum Isolation Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
参考设计
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CAD模型
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