S1L60833

描述:

HIGH DENSITY GATE ARRAY

产地:

Japan

推出日期:

Apr 5, 2001

更新:25-DEC-2024

概述

熟悉该组件的基本一般信息、属性和特征,以及其与行业标准和法规的符合情况。

生命周期高级
欧盟RoHS Unknown
RoHS版本2002/95/EC
汽车 No
供应商CAGE代码0HAF7
8542310065
日程B8542310065
PPAP No
AEC认证 No
类别路径
Semiconductor > Programmable Devices > Programmable Logic Devices > ASICs

技术资料

通过下载该电子元件的数据手册来全面了解其。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、特性、规格、评级、图表、应用等等。

数据表预览

(Latest 版本)

制造

制造信息指定了生产和组装该组件的技术要求和规格。这些信息对于制造商来说至关重要,以保持组件的质量和可靠性,并确保其与其他设备和组件兼容。

Reflow Temp. Source
Wave Temp. Source

参数

参数信息显示了该组件的重要特性和性能指标,这有助于工程师和供应链经理比较和选择最适合其应用和需求的电子组件。

生产线
Programmability
Maximum Supply Current
Maximum Quiescent Current
Number of Raw Gates
Maximum Power Dissipation
Temperature Flag
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Supplier Temperature Grade
类型
Number of Layers
Number of User I/Os
Usable Gates Range
Number of Pads
Maximum Operating Frequency
Typical Internal Gate Propagation Delay Time
Power Supply Type
Minimum Single Supply Voltage
Typical Single Supply Voltage
Maximum Single Supply Voltage
Minimum Dual Supply Voltage
Typical Dual Supply Voltage
Maximum Dual Supply Voltage
Process Technology
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

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