QSC133
onsemi描述: | Photodarlington Chip Silicon 880nm 2-Pin T-1 |
推出日期: | Nov 25, 1997 |
更新:+90 天 | |
在线版本:https://www.datasheets.com/zh-cn/part-details/qsc133-onsemi-18245090
概述
熟悉该组件的基本一般信息、属性和特征，以及其与行业标准和法规的符合情况。
生命周期高级
欧盟RoHS No
RoHS版本2011/65/EU, 2015/863
类别路径
Optoelectronics, Lighting and Displays > Optoelectronics > Photoelement > Phototransistors
Optoelectronics, Lighting and Displays > Optoelectronics > Photoelement > Phototransistors
技术资料
通过下载该电子元件的数据手册来全面了解其。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、特性、规格、评级、图表、应用等等。
数据表预览
(Latest 版本)制造
制造信息指定了生产和组装该组件的技术要求和规格。这些信息对于制造商来说至关重要，以保持组件的质量和可靠性，并确保其与其他设备和组件兼容。
参数
参数信息显示了该组件的重要特性和性能指标，这有助于工程师和供应链经理比较和选择最适合其应用和需求的电子组件。
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生产线
Maximum Storage Temperature
Minimum Intensity
Maximum Intensity
Minimum Spectral Width
Maximum Spectral Width
Minimum Collector Current
Linearity
Response Point List
Minimum Rise Time
Minimum Fall Time
Ambient Light Sensor
Material
Supplier Temperature Grade
Maximum Emitter-Collector Voltage Range
Lens Dimensions
Maximum Forward Current
Process Technology
Minimum Storage Temperature
Phototransistor Type
类型
Polarity
Half Intensity Angle Degrees
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Viewing Orientation
Peak Wavelength
Minimum Operating Supply Voltage
Cut-Off Filter
Maximum Light Current
Maximum Operating Supply Voltage
Lens Shape Type
Number of Channels per Chip
Fabrication Technology
Lens Color
Maximum Emitter-Collector Voltage
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Dark Current
Maximum Collector Current
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Fall Time
Maximum Power Dissipation
Maximum Rise Time