NSVBC114EPDXV6T1G

NSVBC114EPDXV6T1G

onsemi

描述:

Dual Bias Resistor Digital Transistor Automotive AEC-Q101

产地:

Malaysia

推出日期:

Jul 20, 2018

更新:10-DEC-2024

概述

熟悉该组件的基本一般信息、属性和特征,以及其与行业标准和法规的符合情况。

生命周期高级
欧盟RoHS Yes
RoHS版本2011/65/EU, 2015/863
EAR99
汽车 Yes
供应商CAGE代码1MQ07
PPAP Yes
AEC认证 Yes
类别路径
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Digital BJT - Pre-Biased

技术资料

通过下载该电子元件的数据手册来全面了解其。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、特性、规格、评级、图表、应用等等。

数据表预览

(Latest 版本)

制造

制造信息指定了生产和组装该组件的技术要求和规格。这些信息对于制造商来说至关重要,以保持组件的质量和可靠性,并确保其与其他设备和组件兼容。

参数

参数信息显示了该组件的重要特性和性能指标,这有助于工程师和供应链经理比较和选择最适合其应用和需求的电子组件。

生产线
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Minimum DC Current Gain Range
Collector Current for VCE Saturation
Maximum Transition Frequency
Minimum Transition Frequency
Number of Elements per Chip
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Maximum Base Current
Typical Base Emitter Resistor
Typical Current Gain Bandwidth
Operating Junction Temperature
类型
Configuration
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Continuous DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Typical Input Resistor
Typical Resistor Ratio
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Minimum DC Current Gain
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

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