MT53E512M32D1FW-046 IT:B
Micron Technology描述: | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA |
推出日期: | May 10, 2022 |
更新:+90 天 | |
在线版本:https://www.datasheets.com/zh-cn/part-details/mt53e512m32d1fw-046-it-b-micron-technology-1849176379
概述
熟悉该组件的基本一般信息、属性和特征,以及其与行业标准和法规的符合情况。
生命周期高级
欧盟RoHS Yes
RoHS版本2011/65/EU
EAR99
汽车 No
供应商CAGE代码6Y440
8542320036
日程B8542320023
PPAP No
AEC认证 No
类别路径
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
制造
制造信息指定了生产和组装该组件的技术要求和规格。这些信息对于制造商来说至关重要,以保持组件的质量和可靠性,并确保其与其他设备和组件兼容。
参数
参数信息显示了该组件的重要特性和性能指标,这有助于工程师和供应链经理比较和选择最适合其应用和需求的电子组件。
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生产线
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
类型
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits