K4T51163QQ-BPF7
Samsung Electronics描述: | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA |
推出日期: | Feb 25, 2014 |
更新:+90 天 | |
在线版本:https://www.datasheets.com/zh-cn/part-details/k4t51163qq-bpf7-samsung-electronics-62403858
概述
熟悉该组件的基本一般信息、属性和特征，以及其与行业标准和法规的符合情况。
生命周期高级
类别路径
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
技术资料
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数据表预览
(Latest 版本)参数
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生产线
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
类型
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits