K4B1G1646G-BYH9
Samsung Electronics描述: | DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin FBGA |
推出日期: | Apr 21, 2016 |
更新:+90 天 | |
在线版本:https://www.datasheets.com/zh-cn/part-details/k4b1g1646g-byh9-samsung-electronics-414099148
概述
熟悉该组件的基本一般信息、属性和特征，以及其与行业标准和法规的符合情况。
生命周期高级
EAR99
汽车 No
供应商CAGE代码1542F
8542320032
日程B8542320015
PPAP No
AEC认证 No
类别路径
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
技术资料
通过下载该电子元件的数据手册来全面了解其。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、特性、规格、评级、图表、应用等等。
