IGW25N120H3XK
Infineon Technologies AG描述: | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
推出日期: | Nov 27, 2009 |
更新:09-DEC-2024 | |
在线版本:https://www.datasheets.com/zh-cn/part-details/igw25n120h3xk-infineon-technologies-ag-45224193
概述
熟悉该组件的基本一般信息、属性和特征，以及其与行业标准和法规的符合情况。
生命周期高级
欧盟RoHS Yes
RoHS版本2011/65/EU, 2015/863
EAR99
汽车 No
供应商CAGE代码C6489
日程B8541290080
PPAP No
AEC认证 No
类别路径
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Chip
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Chip
技术资料
通过下载该电子元件的数据手册来全面了解其。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、特性、规格、评级、图表、应用等等。
数据表预览
(Latest 版本)制造
制造信息指定了生产和组装该组件的技术要求和规格。这些信息对于制造商来说至关重要，以保持组件的质量和可靠性，并确保其与其他设备和组件兼容。
参数
参数信息显示了该组件的重要特性和性能指标，这有助于工程师和供应链经理比较和选择最适合其应用和需求的电子组件。
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生产线
Maximum Transition Frequency
Number of Elements per Chip
Maximum Junction Temperature
Minimum Storage Temperature
Supplier Temperature Grade
Maximum Storage Temperature
Maximum Gate Emitter Leakage Current
Tradename
Process Technology
Minimum Transition Frequency
Typical Transition Frequency
Technology
Channel Type
Configuration
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Maximum Continuous Collector Current
Maximum Power Dissipation
Typical Collector Emitter Saturation Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature