H5AN8G6NCJR-VKI
SK hynix Inc描述: | DRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.2V 96-Pin FBGA |
推出日期: | Oct 31, 2017 |
更新:17-NOV-2024 | |
在线版本:https://www.datasheets.com/zh-cn/part-details/h5an8g6ncjr-vki-sk-hynix-inc-419315070
概述
熟悉该组件的基本一般信息、属性和特征，以及其与行业标准和法规的符合情况。
生命周期高级
欧盟RoHS Yes
RoHS版本2011/65/EU, 2015/863
EAR99
汽车 No
供应商CAGE代码9162F
8542320036
日程B8542320023
PPAP No
AEC认证 No
类别路径
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
技术资料
通过下载该电子元件的数据手册来全面了解其。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、特性、规格、评级、图表、应用等等。
数据表预览
(Latest 版本)参数
参数信息显示了该组件的重要特性和性能指标，这有助于工程师和供应链经理比较和选择最适合其应用和需求的电子组件。
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生产线
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
类型
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits