FD600R12IP4D
Infineon Technologies AG描述: | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3350W 11-Pin PRIME2-1 Tray |
推出日期: | Mar 5, 2013 |
更新:+90 天 | |
在线版本:https://www.datasheets.com/zh-cn/part-details/fd600r12ip4d-infineon-technologies-ag-51347147
概述
熟悉该组件的基本一般信息、属性和特征，以及其与行业标准和法规的符合情况。
生命周期高级
欧盟RoHSYes with Exemption
RoHS版本2011/65/EU
类别路径
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Modules
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Modules
技术资料
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数据表预览
(Latest 版本)参数
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生产线
Maximum Junction Temperature
Process Technology
Minimum Storage Temperature
Supplier Temperature Grade
Maximum Storage Temperature
Typical Collector Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Leakage Current
Tradename
Technology
Channel Type
Configuration
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Maximum Continuous Collector Current
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature