Datasheets
4N35S

4N35S

onsemi

描述:

DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP SMD Black

产地:

Thailand

推出日期:

Nov 4, 1997

更新:+90 天

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CAD模型
部件规格

概述

熟悉该组件的基本一般信息、属性和特征，以及其与行业标准和法规的符合情况。

生命周期高级
欧盟RoHS Unknown
RoHS版本2002/95/EC
类别路径
Optoelectronics, Lighting and Displays > Optoelectronics > PhotoCouplers > Transistor and Photovoltaic Output Photocouplers

制造

制造信息指定了生产和组装该组件的技术要求和规格。这些信息对于制造商来说至关重要，以保持组件的质量和可靠性，并确保其与其他设备和组件兼容。

Reflow Temp. Source

参数

参数信息显示了该组件的重要特性和性能指标，这有助于工程师和供应链经理比较和选择最适合其应用和需求的电子组件。

生产线
Current Transfer Ratio Test Current
Minimum Input Reverse Breakdown Voltage
Process Technology
Maximum Data Rate
Minimum Forward Voltage
Supplier Temperature Grade
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Maximum Propagation Delay Time (tPHL)
Maximum Propagation Delay Time (tPLH)
Minimum Common Mode Rejection
Common Mode Voltage
Maximum Supply Voltage
Maximum Working Insulation Voltage
Typical Bandwidth
Typical Rise Time
Typical Fall Time
Minimum Collector Emitter Voltage
Typical Forward Voltage
Maximum Forward Current
Input Type
Output Type
Output Device
Number of Channels per Chip
Minimum Isolation Voltage
Maximum Forward Voltage
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Current Transfer Ratio
Maximum Collector Current
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Power Dissipation
Maximum Reverse Voltage
Maximum Rise Time
Maximum Fall Time
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Minimum Current Transfer Ratio

CAD模型

访问组件的3D CAD模型、符号和封装。轻松可视化其结构和尺寸，集成设计并优化性能。

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