30KPA258CAe3/TR13
Microchip Technology描述: | TVS Diode Single Bi-Dir 258V 30KW 2-Pin Case R-6 T/R |
产地: | China |
推出日期: | Oct 30, 2009 |
更新:21-DEC-2024 | |
在线版本:https://www.datasheets.com/zh-cn/part-details/30kpa258cae3-tr13-microchip-technology-47700511
概述
熟悉该组件的基本一般信息、属性和特征，以及其与行业标准和法规的符合情况。
生命周期高级
欧盟RoHS Yes
RoHS版本2011/65/EU, 2015/863
EAR99
汽车 No
供应商CAGE代码60991
8541100080
日程B8541100080
PPAP No
AEC认证 No
类别路径
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > ESD Protection Diodes > Transient Voltage Suppressors - TVS Diodes
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > ESD Protection Diodes > Transient Voltage Suppressors - TVS Diodes
技术资料
通过下载该电子元件的数据手册来全面了解其。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、特性、规格、评级、图表、应用等等。
数据表预览
(Latest 版本)制造
制造信息指定了生产和组装该组件的技术要求和规格。这些信息对于制造商来说至关重要，以保持组件的质量和可靠性，并确保其与其他设备和组件兼容。
参数
参数信息显示了该组件的重要特性和性能指标，这有助于工程师和供应链经理比较和选择最适合其应用和需求的电子组件。
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生产线
Tradename
Capacitance Value
Maximum Forward Voltage
Peak Forward Surge Current
Process Technology
Maximum Forward Current
Maximum Power Dissipation
Typical Clamping Voltage
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Maximum Breakdown Voltage
Supplier Temperature Grade
Number of Elements per Chip
Direction Type
Configuration
Maximum Reverse Stand-Off Voltage
Maximum Reverse Leakage Current
Maximum Clamping Voltage
Maximum Peak Pulse Current
Minimum Breakdown Voltage
Test Current
Peak Pulse Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Operating Junction Temperature