2N3565
New Jersey Semiconductor描述: | NPN Low Level High Gain Amplifier |
产地: | United States of America |
推出日期: | Aug 7, 2014 |
更新:30-NOV-2024 | |
在线版本:https://www.datasheets.com/zh-cn/part-details/2n3565-new-jersey-semiconductor-61458525
概述
熟悉该组件的基本一般信息、属性和特征，以及其与行业标准和法规的符合情况。
生命周期高级
欧盟RoHS Unknown
RoHS版本2002/95/EC
汽车 No
供应商CAGE代码2D085
PPAP No
AEC认证 No
类别路径
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
技术资料
通过下载该电子元件的数据手册来全面了解其。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、特性、规格、评级、图表、应用等等。
数据表预览
(Latest 版本)制造
制造信息指定了生产和组装该组件的技术要求和规格。这些信息对于制造商来说至关重要，以保持组件的质量和可靠性，并确保其与其他设备和组件兼容。