TGF2934
Qorvo, IncMô tả: | DC - 25 GHz, 28 V, 14 W GaN RF Transistor |
Ngày giới thiệu: | Aug 24, 2016 |
Đã cập nhật:+90 ngày | |
Xem thêm RF FETs bởi Qorvo, Inc | |
Phiên bản trực tuyến:https://www.datasheets.com/vi/part-details/tgf2934-qorvo--inc-92517187
Tổng quan
Hiểu rõ thông tin chung cơ bản, thuộc tính và đặc điểm cơ bản của thành phần, cùng với việc tuân thủ các tiêu chuẩn và quy định ngành công nghiệp.
Vòng đờiPremium
EU RoHS Yes
Phiên Bản RoHS2011/65/EU, 2015/863
Đường dẫn danh mục
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > RF FETs
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > RF FETs
Tờ dữ liệu
Hiểu đầy đủ về thành phần điện tử bằng cách tải xuống bảng dữ liệu kỹ thuật của nó. Tài liệu PDF này bao gồm tất cả các thông tin cần thiết, như tổng quan sản phẩm, tính năng, thông số kỹ thuật, xếp hạng, sơ đồ, ứng dụng và nhiều hơn nữa.
Xem trước bảng dữ liệu
(Latest Phiên bản)Tham số
Thông tin tham số hiển thị các tính năng quan trọng và các chỉ số hiệu suất của thành phần, giúp kỹ sư và quản lý chuỗi cung ứng so sánh và lựa chọn thành phần điện tử phù hợp nhất cho ứng dụng và nhu cầu của họ.
Bạn phải đăng nhập để xem thông tin bị hạn chế.
dòng sản phẩm
Supplier Temperature Grade
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Typical Gate Threshold Voltage
Breakdown Voltage Type
Minimum Gate Threshold Voltage
Loại
Typical Power 1dB Compression
Material
Typical Forward Transconductance
Typical Output Capacitance @ Vds
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Types of Output Stages
Typical Power Gain @ Vds
Maximum VSWR
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Process Technology
Maximum Gate Source Leakage Current
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Duty Cycle
Typical Turn-On Delay Time
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Drain Efficiency
Maximum Noise Figure
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Channel Type
Configuration
Channel Mode
Number of Elements per Chip
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Minimum Frequency
Maximum Frequency
Maximum Power Dissipation
Mode of Operation
Typical Power Gain
Output Power
Maximum IDSS
Typical Input Capacitance @ Vds
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature