2N3866JX
Semicoa SemiconductorsMô tả: | RF Epitaxial Bipolar Transistor |
Nước xuất xứ: | United States of America |
Ngày giới thiệu: | Jun 22, 1999 |
Đã cập nhật:29-OCT-2024 | |
Xem thêm RF BJT bởi Semicoa Semiconductors | |
Phiên bản trực tuyến:https://www.datasheets.com/vi/part-details/2n3866jx-semicoa-semiconductors-46475876
Tổng quan
Hiểu rõ thông tin chung cơ bản, thuộc tính và đặc điểm cơ bản của thành phần, cùng với việc tuân thủ các tiêu chuẩn và quy định ngành công nghiệp.
Vòng đờiPremium
EU RoHS No
Phiên Bản RoHS2011/65/EU, 2015/863
Đường dẫn danh mục
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > RF BJT
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > RF BJT
Tờ dữ liệu
Hiểu đầy đủ về thành phần điện tử bằng cách tải xuống bảng dữ liệu kỹ thuật của nó. Tài liệu PDF này bao gồm tất cả các thông tin cần thiết, như tổng quan sản phẩm, tính năng, thông số kỹ thuật, xếp hạng, sơ đồ, ứng dụng và nhiều hơn nữa.
Xem trước bảng dữ liệu
(Latest Phiên bản)Tham số
Thông tin tham số hiển thị các tính năng quan trọng và các chỉ số hiệu suất của thành phần, giúp kỹ sư và quản lý chuỗi cung ứng so sánh và lựa chọn thành phần điện tử phù hợp nhất cho ứng dụng và nhu cầu của họ.
Bạn phải đăng nhập để xem thông tin bị hạn chế.
dòng sản phẩm
Maximum Turn-Off Time
Maximum Rise Time
Maximum Emitter Cut-Off Current
Maximum DC Collector Current Range
Collector Current for VCE Saturation
Typical Transition Frequency
Minimum Transition Frequency
Process Technology
Maximum Collector-Emitter Voltage Range
Maximum Collector Cut-Off Current
Typical Collector Efficiency
Tradename
Supplier Temperature Grade
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Loại
Configuration
Number of Elements per Chip
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Collector Base Voltage
Maximum Emitter Base Voltage
Maximum DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Minimum DC Current Gain
Minimum DC Current Gain Range
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Maximum Transition Frequency
Maximum Turn-On Time
Maximum Noise Figure
Typical Input Capacitance
Typical Output Capacitance
Output Power
Maximum Power 1dB Compression
Operational Bias Conditions
Typical Power Gain
Maximum 3rd Order Intercept Point
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Material