Datasheets
IRF250

IRF250

New Jersey Semiconductor

Açıklama:

Trans MOSFET N-CH 200V 33A 3-Pin(2+Tab) TO-204

Menşei ülke:

United States of America

Tanıtım tarihi:

Mar 9, 2008

Güncellendi:24-NOV-2024

Daha fazlasını görüntüle MOSFETs tarafından New Jersey Semiconductor
Parça Özellikleri

Genel Bakış

Bileşenin temel genel bilgileri, özellikleri ve karakteristikleriyle birlikte endüstri standartlarına ve yönetmeliklere uyumu hakkında bilgi edinin.

Yaşam DöngüsüPremium
AB RoHS Unknown
RoHS Sürümü2002/95/EC
EAR99
Otomotiv No
Tedarikçi CAGE Kodu2D085
PPAP No
AEC Onaylı No
Kategori Yolu
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs

Üretim

Üretim bilgileri, bileşenin üretilmesi ve montajı için teknik gereksinimleri ve spesifikasyonları belirtir. Bu bilgiler, üreticilerin bileşenlerin kalitesini ve güvenilirliğini sürdürmeleri ve diğer cihazlar ve bileşenlerle uyumlu olmalarını sağlamaları için çok önemlidir.

Reflow Temp. Source
Wave Temp. Source

Parametrik

Parametrik bilgiler, bileşenin önemli özelliklerini ve performans metriklerini görüntüler ve bu, mühendislerin ve tedarik zinciri yöneticilerinin uygulamaları ve ihtiyaçları için en uygun elektronik bileşeni karşılaştırmasına ve seçmesine yardımcı olur.

ürün hattı
Breakdown Voltage Type
Minimum DC Current Gain
Typical Switch Charge
Typical Gate Resistance
Typical Reverse Recovery Charge
Typical Forward Transconductance
Tradename
Minimum Gate Threshold Voltage
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Maximum Offset Voltage
Maximum Positive Gate Source Voltage
Minimum Gate Resistance
Maximum Gate Resistance
Typical Gate Threshold Voltage
Typical Diode Forward Voltage
Maximum Diode Forward Voltage
Typical Reverse Recovery Time
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Maximum Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Maximum Gate Source Leakage Current
Minimum Storage Temperature
Typical Gate to Drain Charge
Typical Gate to Source Charge
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Supplier Temperature Grade
Typical Turn-On Delay Time
Configuration
Maximum Absolute Continuous Drain Current
Kategori
Channel Mode
Channel Type
Number of Elements per Chip
Process Technology
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Material
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Maximum IDSS
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Input Capacitance @ Vds
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Typical Output Capacitance

Eşdeğerler

Daha Fazla Ücretsiz Veriyle İlgileniyor musunuz?

Başka bir üreticiden form-uyma-fonksiyon eşdeğerini veya hatta uygun yükseltmeleri ve düşürmeleri keşfedin ve çok daha fazlasını yapın.

Premium'a Geçin

Kredi Kartı Yok. Sözleşme Yok.