Datasheets
CS3N20A23H

CS3N20A23H

China Resources Microelectronics Limited

Açıklama:

Trans MOSFET N-CH 200V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223

Tanıtım tarihi:

Jun 27, 2024

Güncellendi:28-NOV-2024

Daha fazlasını görüntüle MOSFETs tarafından China Resources Microelectronics Limited
Parça Özellikleri

Genel Bakış

Bileşenin temel genel bilgileri, özellikleri ve karakteristikleriyle birlikte endüstri standartlarına ve yönetmeliklere uyumu hakkında bilgi edinin.

Yaşam DöngüsüPremium
AB RoHS Unknown
RoHS Sürümü2011/65/EU
Kategori Yolu
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs

Veri sayfası

Elektronik bileşenin teknik bilgi sayfasını indirerek kapsamlı bir anlayış elde edin. Bu PDF belgesi, ürün genel bakışı, özellikleri, spesifikasyonları, değerlendirmeleri, diyagramları, uygulamaları ve daha fazlası gibi tüm gerekli ayrıntıları içerir.

Tedarikçi Veri Tablosu
(Harici bağlantı)
PDF İndir
(Latest Sürüm)

Veri Sayfası Önizlemesi

(Latest Sürüm)

Parametrik

Parametrik bilgiler, bileşenin önemli özelliklerini ve performans metriklerini görüntüler ve bu, mühendislerin ve tedarik zinciri yöneticilerinin uygulamaları ve ihtiyaçları için en uygun elektronik bileşeni karşılaştırmasına ve seçmesine yardımcı olur.

ürün hattı
Breakdown Voltage Type
Minimum DC Current Gain
Typical Switch Charge
Typical Gate Resistance
Typical Reverse Recovery Charge
Typical Forward Transconductance
Tradename
Minimum Gate Threshold Voltage
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Maximum Offset Voltage
Maximum Positive Gate Source Voltage
Minimum Gate Resistance
Maximum Gate Resistance
Typical Gate Threshold Voltage
Typical Diode Forward Voltage
Maximum Diode Forward Voltage
Typical Reverse Recovery Time
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Maximum Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Maximum Gate Source Leakage Current
Minimum Storage Temperature
Typical Gate to Drain Charge
Typical Gate to Source Charge
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Supplier Temperature Grade
Typical Turn-On Delay Time
Configuration
Maximum Absolute Continuous Drain Current
Kategori
Channel Mode
Channel Type
Number of Elements per Chip
Process Technology
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Material
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Maximum IDSS
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Input Capacitance @ Vds
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Typical Output Capacitance

Eşdeğerler

Daha Fazla Ücretsiz Veriyle İlgileniyor musunuz?

Başka bir üreticiden form-uyma-fonksiyon eşdeğerini veya hatta uygun yükseltmeleri ve düşürmeleri keşfedin ve çok daha fazlasını yapın.

Premium'a Geçin

Kredi Kartı Yok. Sözleşme Yok.