K9K8G08U0F-SIB0
Samsung Electronicsคำอธิบาย: | 4Gb F-die NAND Flash |
วันที่เริ่มต้น: | Jul 26, 2016 |
อัปเดตแล้ว:+90 วัน | |
ดูเพิ่มเติม Flash โดย Samsung Electronics | |
เวอร์ชันออนไลน์:https://www.datasheets.com/th/part-details/k9k8g08u0f-sib0-samsung-electronics-405046699
ภาพรวม
ทำความรู้จักกับข้อมูลทั่วไปพื้นฐาน คุณสมบัติ และลักษณะพื้นฐานขององค์ประกอบ รวมถึงความปฏิบัติตามมาตรฐานและกฎระเบียบของอุตสาหกรรม
วงจรชีวิตพรีเมี่ยม
EU RoHS Yes
เวอร์ชัน RoHS2011/65/EU, 2015/863
เส้นทางหมวดหมู่
Semiconductor > Memory > Memory Chips > Flash
Semiconductor > Memory > Memory Chips > Flash
พารามิเตอร์
ข้อมูลพารามิเตอร์แสดงคุณสมบัติที่สำคัญและเมตริกการทำงานขององค์ประกอบ ซึ่งช่วยให้วิศวกรและผู้จัดการโซ่อุปทานเปรียบเทียบและเลือกองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่เหมาะสมที่สุดสำหรับแอปพลิเคชันและความต้องการของพวกเขา
คุณต้องเข้าสู่ระบบเพื่อดูข้อมูลที่ถูกจำกัด
สายผลิตภัณฑ์
Programmability
MMC Version
Simultaneous Read/Write Support
Erase Suspend/Resume Modes Support
ECC Support
OE Access Time
Page Read Current
Program Current
Page Size
Supplier Temperature Grade
Minimum Storage Temperature
Minimum Endurance
Maximum Storage Temperature
I/O Mode
Maximum Cycle Time
Process Technology
Tradename
Sector Size
Density in Bits
Command Compatible
Bank Size
Number of Banks
Support of Page Mode
Maximum Page Access Time
Support of Common Flash Interface
Density
Cell Type
Interface Type
Timing Type
Number of Words
Number of Bits per Word
Maximum Operating Frequency
Maximum Access Time
Maximum Erase Time
Maximum Programming Time
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Architecture
Programming Voltage
Boot Block
Location of Boot Block
Maximum Operating Current
Block Organization
Address Width
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
การออกแบบอ้างอิง
ปลดล็อกความคิดและคำแนะนำด้วยชุดอ้างอิงของเรา เรียกดูการนำไปใช้งานที่เป็นปฏิสัมพันธ์ที่แสดงให้เห็นถึงความสามารถของส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ส่งเสริมกระบวนการพัฒนาและสร้างสรรค์ทางเลือกที่มีประสิทธิภาพด้วยเอกสารและแผนภาพอย่างละเอียด
