H5AN8G6NCJR-VKC
SK hynix Incคำอธิบาย: | DRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.2V 96-Pin FBGA |
ประเทศกำเนิด: | Korea (Republic of) |
วันที่เริ่มต้น: | Oct 31, 2017 |
อัปเดตแล้ว:+90 วัน | |
ดูเพิ่มเติม DRAM Chip โดย SK hynix Inc | |
เวอร์ชันออนไลน์:https://www.datasheets.com/th/part-details/h5an8g6ncjr-vkc-sk-hynix-inc-409227405
ภาพรวม
ทำความรู้จักกับข้อมูลทั่วไปพื้นฐาน คุณสมบัติ และลักษณะพื้นฐานขององค์ประกอบ รวมถึงความปฏิบัติตามมาตรฐานและกฎระเบียบของอุตสาหกรรม
วงจรชีวิตพรีเมี่ยม
EU RoHS Yes
เวอร์ชัน RoHS2011/65/EU, 2015/863
เส้นทางหมวดหมู่
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
แผ่นข้อมูล
เข้าใจองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์อย่างเข้าใจทั่วถึงโดยดาวน์โหลดใบข้อมูลของมัน ไฟล์เอกสาร PDF นี้ประกอบด้วยรายละเอียดที่จำเป็นทั้งหมด เช่นภาพรวมผลิตภัณฑ์ คุณสมบัติ ข้อมูลจำเพาะ เกรด แผนภูมิ แอปพลิเคชัน และอื่น ๆ
ดูตัวอย่างแผ่นข้อมูล
(Latest เวอร์ชัน)พารามิเตอร์
ข้อมูลพารามิเตอร์แสดงคุณสมบัติที่สำคัญและเมตริกการทำงานขององค์ประกอบ ซึ่งช่วยให้วิศวกรและผู้จัดการโซ่อุปทานเปรียบเทียบและเลือกองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่เหมาะสมที่สุดสำหรับแอปพลิเคชันและความต้องการของพวกเขา
คุณต้องเข้าสู่ระบบเพื่อดูข้อมูลที่ถูกจำกัด
สายผลิตภัณฑ์
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
ประเภท
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits