BC857AT-7
Diodes Incorporatedคำอธิบาย: | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R |
ประเทศกำเนิด: | China |
วันที่เริ่มต้น: | Oct 7, 2002 |
อัปเดตแล้ว:+90 วัน | |
ดูเพิ่มเติม GP BJT โดย Diodes Incorporated | |
เวอร์ชันออนไลน์:https://www.datasheets.com/th/part-details/bc857at-7-diodes-incorporated-14713717
ภาพรวม
ทำความรู้จักกับข้อมูลทั่วไปพื้นฐาน คุณสมบัติ และลักษณะพื้นฐานขององค์ประกอบ รวมถึงความปฏิบัติตามมาตรฐานและกฎระเบียบของอุตสาหกรรม
วงจรชีวิตพรีเมี่ยม
EU RoHS No
เวอร์ชัน RoHS2011/65/EU, 2015/863
เส้นทางหมวดหมู่
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
แผ่นข้อมูล
เข้าใจองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์อย่างเข้าใจทั่วถึงโดยดาวน์โหลดใบข้อมูลของมัน ไฟล์เอกสาร PDF นี้ประกอบด้วยรายละเอียดที่จำเป็นทั้งหมด เช่นภาพรวมผลิตภัณฑ์ คุณสมบัติ ข้อมูลจำเพาะ เกรด แผนภูมิ แอปพลิเคชัน และอื่น ๆ
ดูตัวอย่างแผ่นข้อมูล
(Latest เวอร์ชัน)การผลิต
ข้อมูลการผลิตระบุความต้องการทางเทคนิคและข้อกำหนดเฉพาะสำหรับการผลิตและประกอบองค์ประกอบ ข้อมูลนี้สำคัญสำหรับผู้ผลิตเพื่อรักษาคุณภาพและความเชื่อถือขององค์ประกอบ และให้มั่นใจว่าพวกเขาเข้ากันได้กับอุปกรณ์และองค์ประกอบอื่น ๆ
คุณต้องเข้าสู่ระบบเพื่อดูข้อมูลที่ถูกจำกัด
Reflow Temp. Source
Wave Temp. Source