SI7601DN-T1-GE3

Описание:	Trans MOSFET P-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Дата ввода в эксплуатацию:	Aug 28, 2007
Обновлено:+90 дней
Показать больше MOSFETs от Vishay

Ссылочные конструкции

Характеристики детали

Обзор

Ознакомьтесь с основной общей информацией, свойствами и характеристиками компонента, а также его соответствием отраслевым стандартам и нормативным актам.

Жизненный циклПремиум

EU RoHS Yes

Версия RoHS2011/65/EU, 2015/863

Путь категории
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs

Справочник данных

Получите полное представление о электронном компоненте, загрузив его техническое описание. Этот PDF-документ содержит все необходимые детали, такие как обзор продукта, особенности, спецификации, рейтинги, схемы, применение и многое другое.

Скачать PDF
(Latest Версия)

Предварительный просмотр справочника

(Latest Версия)

Производство

Информация о производстве указывает технические требования и спецификации для производства и сборки компонента. Эта информация является ключевой для производителей для поддержания качества и надежности компонентов и обеспечения их совместимости с другими устройствами и компонентами.

Вы должны войти в систему, чтобы просмотреть ограниченную информацию.

Нажмите здесь, чтобы войти

Параметры

Параметрическая информация отображает важные характеристики и показатели производительности компонента, что помогает инженерам и менеджерам по цепочке поставок сравнивать и выбирать наиболее подходящий электронный компонент для своих приложений и потребностей.

Вы должны войти в систему, чтобы просмотреть ограниченную информацию.

Нажмите здесь, чтобы войти

линейка продуктов

Breakdown Voltage Type

Minimum DC Current Gain

Typical Switch Charge

Typical Gate Resistance

Typical Reverse Recovery Charge

Typical Forward Transconductance

Tradename

Minimum Gate Threshold Voltage

Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds

Maximum Offset Voltage

Maximum Positive Gate Source Voltage

Minimum Gate Resistance

Maximum Gate Resistance

Typical Gate Threshold Voltage

Typical Diode Forward Voltage

Maximum Diode Forward Voltage

Typical Reverse Recovery Time

Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C

Maximum Forward Transconductance

Minimum Forward Transconductance

Minimum IDSS

ID For GFS

VDS For GFS

Maximum Input Capacitance @ Vds

Typical IDSS

Maximum Storage Temperature

Operating Junction Temperature

Maximum Gate Source Leakage Current

Minimum Storage Temperature

Typical Gate to Drain Charge

Typical Gate to Source Charge

Maximum Junction Ambient Thermal Resistance

Maximum Junction Case Thermal Resistance

Typical Fall Time

Typical Rise Time

Typical Turn-Off Delay Time

Supplier Temperature Grade

Typical Turn-On Delay Time

Configuration

Maximum Absolute Continuous Drain Current

Категория

Channel Mode

Channel Type

Number of Elements per Chip

Process Technology

Maximum Drain Source Voltage

Maximum Gate Source Voltage

Maximum Continuous Drain Current

Material

Maximum Gate Threshold Voltage

Maximum Drain Source Resistance

Maximum IDSS

Typical Gate Charge @ Vgs

Typical Gate Charge @ 10V

Typical Input Capacitance @ Vds

Maximum Power Dissipation

Minimum Operating Temperature

Maximum Operating Temperature

Typical Output Capacitance

Справочные проекты

Откройте для себя исpiration и руководство с нашей коллекцией ссылок на проекты. Исследуйте практические реализации, демонстрирующие возможности электронного компонента. Ускорьте процесс разработки и создавайте эффективные решения с подробной документацией и схематиками.