PDTB123YT/A2
NexperiaОписание: | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 3-Pin TO-236AB |
Страна происхождения: | China |
Дата ввода в эксплуатацию: | Jul 6, 2010 |
Обновлено:09-DEC-2024 | |
Показать больше Digital BJT - Pre-Biased от Nexperia | |
Онлайн-версия:https://www.datasheets.com/ru/part-details/pdtb123yt-a2-nexperia-82227260
Обзор
Ознакомьтесь с основной общей информацией, свойствами и характеристиками компонента, а также его соответствием отраслевым стандартам и нормативным актам.
Жизненный циклПремиум
EU RoHS Unknown
Версия RoHS2002/95/EC
Автомобильная промышленность No
Код поставщика CAGEH2HX9
PPAP No
Сертифицировано AEC No
Путь категории
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Digital BJT - Pre-Biased
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Digital BJT - Pre-Biased
Справочник данных
Получите полное представление о электронном компоненте, загрузив его техническое описание. Этот PDF-документ содержит все необходимые детали, такие как обзор продукта, особенности, спецификации, рейтинги, схемы, применение и многое другое.