Datasheets
MT53E512M32D1ZW-046 IT:B

MT53E512M32D1ZW-046 IT:B

Micron Technology

Описание:

DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray

Страна происхождения:

China

Дата ввода в эксплуатацию:

Dec 16, 2020

Обновлено:09-OCT-2024

Показать больше DRAM Chip от Micron Technology
Характеристики деталиЦена и наличие

Обзор

Ознакомьтесь с основной общей информацией, свойствами и характеристиками компонента, а также его соответствием отраслевым стандартам и нормативным актам.

Жизненный циклПремиум
EU RoHS Yes
Версия RoHS2011/65/EU, 2015/863
Путь категории
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip

Параметры

Параметрическая информация отображает важные характеристики и показатели производительности компонента, что помогает инженерам и менеджерам по цепочке поставок сравнивать и выбирать наиболее подходящий электронный компонент для своих приложений и потребностей.

линейка продуктов
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
Тип
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits

Аналоги

Интересует больше бесплатных данных?

Откройте для себя аналог по форме, соответствию и функции от другого производителя или даже подходящие обновления и понижения, и многое другое.

Перейти к премиум-версии

Нет кредитной карты. Нет обязательств.