MJH16106
onsemiОписание: | Trans GP BJT NPN 400V 8A 125000mW |
Дата ввода в эксплуатацию: | Aug 31, 1995 |
Обновлено:+90 дней | |
Показать больше GP BJT от onsemi | |
Онлайн-версия:https://www.datasheets.com/ru/part-details/mjh16106-onsemi-51323134
Обзор
Ознакомьтесь с основной общей информацией, свойствами и характеристиками компонента, а также его соответствием отраслевым стандартам и нормативным актам.
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Справочник данных
Получите полное представление о электронном компоненте, загрузив его техническое описание. Этот PDF-документ содержит все необходимые детали, такие как обзор продукта, особенности, спецификации, рейтинги, схемы, применение и многое другое.
Предварительный просмотр справочника
(Latest Версия)Параметры
Параметрическая информация отображает важные характеристики и показатели производительности компонента, что помогает инженерам и менеджерам по цепочке поставок сравнивать и выбирать наиболее подходящий электронный компонент для своих приложений и потребностей.