MJE18604D2
onsemiОписание: | HIGH SPEED, HIGH GAIN BIPOLAR NPN POWER TRANSISTORS WITH COLLECTOR-EMITTER DIODE AND BUILT-IN EFFICIENT ANTISATURATION NETWORK FOR 166 V APPLICATION |
Дата ввода в эксплуатацию: | Aug 31, 1995 |
Обновлено:+90 дней | |
Показать больше GP BJT от onsemi | |
Онлайн-версия:https://www.datasheets.com/ru/part-details/mje18604d2-onsemi-48204918
Обзор
Ознакомьтесь с основной общей информацией, свойствами и характеристиками компонента, а также его соответствием отраслевым стандартам и нормативным актам.
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Справочник данных
Получите полное представление о электронном компоненте, загрузив его техническое описание. Этот PDF-документ содержит все необходимые детали, такие как обзор продукта, особенности, спецификации, рейтинги, схемы, применение и многое другое.
Предварительный просмотр справочника
(Latest Версия)Производство
Информация о производстве указывает технические требования и спецификации для производства и сборки компонента. Эта информация является ключевой для производителей для поддержания качества и надежности компонентов и обеспечения их совместимости с другими устройствами и компонентами.