DTC115EET1G
onsemiОписание: | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
Страна происхождения: | China |
Дата ввода в эксплуатацию: | May 12, 2000 |
Обновлено:10-DEC-2024 | |
Показать больше Digital BJT - Pre-Biased от onsemi | |
Онлайн-версия:https://www.datasheets.com/ru/part-details/dtc115eet1g-onsemi-19324369
Обзор
Ознакомьтесь с основной общей информацией, свойствами и характеристиками компонента, а также его соответствием отраслевым стандартам и нормативным актам.
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Digital BJT - Pre-Biased
Справочник данных
Получите полное представление о электронном компоненте, загрузив его техническое описание. Этот PDF-документ содержит все необходимые детали, такие как обзор продукта, особенности, спецификации, рейтинги, схемы, применение и многое другое.
Предварительный просмотр справочника
(Latest Версия)Производство
Информация о производстве указывает технические требования и спецификации для производства и сборки компонента. Эта информация является ключевой для производителей для поддержания качества и надежности компонентов и обеспечения их совместимости с другими устройствами и компонентами.
Вы должны войти в систему, чтобы просмотреть ограниченную информацию.
Параметры
Параметрическая информация отображает важные характеристики и показатели производительности компонента, что помогает инженерам и менеджерам по цепочке поставок сравнивать и выбирать наиболее подходящий электронный компонент для своих приложений и потребностей.
Вы должны войти в систему, чтобы просмотреть ограниченную информацию.
CAD-модели
Получайте доступ к трехмерным моделям CAD, символам и образцам компонентов. Визуализируйте его структуру и размеры, интегрируйте проекты и легко оптимизируйте производительность.