DM2G75SH12A
MagnaChip SemiconductorОписание: | Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 600W 7-Pin Case 7DM-1 |
Страна происхождения: | China |
Дата ввода в эксплуатацию: | Jul 15, 2008 |
Обновлено:+90 дней | |
Показать больше IGBT Modules от MagnaChip Semiconductor | |
Онлайн-версия:https://www.datasheets.com/ru/part-details/dm2g75sh12a-magnachip-semiconductor-46197224
Обзор
Ознакомьтесь с основной общей информацией, свойствами и характеристиками компонента, а также его соответствием отраслевым стандартам и нормативным актам.
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Modules
Справочник данных
Получите полное представление о электронном компоненте, загрузив его техническое описание. Этот PDF-документ содержит все необходимые детали, такие как обзор продукта, особенности, спецификации, рейтинги, схемы, применение и многое другое.
Предварительный просмотр справочника
(Latest Версия)Корпус
Информация об упаковке компонента содержит важные детали о размере, весе и упаковке продукта. Это помогает инженерам определить, соответствует ли продукт их требованиям и ожиданиям.
Вы должны войти в систему, чтобы просмотреть ограниченную информацию.
Производство
Информация о производстве указывает технические требования и спецификации для производства и сборки компонента. Эта информация является ключевой для производителей для поддержания качества и надежности компонентов и обеспечения их совместимости с другими устройствами и компонентами.
Вы должны войти в систему, чтобы просмотреть ограниченную информацию.
Параметры
Параметрическая информация отображает важные характеристики и показатели производительности компонента, что помогает инженерам и менеджерам по цепочке поставок сравнивать и выбирать наиболее подходящий электронный компонент для своих приложений и потребностей.
