Описание: | SILICON EPITAXIAL-BASE POWER TRANSISTORS |
Страна происхождения: | China |
Дата ввода в эксплуатацию: | Nov 5, 2012 |
Обновлено:+90 дней | |
Показать больше GP BJT от Comset Semiconductors | |
Онлайн-версия:https://www.datasheets.com/ru/part-details/bd203-comset-semiconductors-61043835
Обзор
Ознакомьтесь с основной общей информацией, свойствами и характеристиками компонента, а также его соответствием отраслевым стандартам и нормативным актам.
Жизненный циклПремиум
EU RoHS Yes
Версия RoHS2011/65/EU
Путь категории
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Справочник данных
Получите полное представление о электронном компоненте, загрузив его техническое описание. Этот PDF-документ содержит все необходимые детали, такие как обзор продукта, особенности, спецификации, рейтинги, схемы, применение и многое другое.
