BC847BPN/DG,115
NexperiaОписание: | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 400mW 6-Pin TSSOP T/R |
Страна происхождения: | Malaysia |
Дата ввода в эксплуатацию: | Feb 3, 1997 |
Обновлено:15-NOV-2024 | |
Показать больше GP BJT от Nexperia | |
Онлайн-версия:https://www.datasheets.com/ru/part-details/bc847bpn-dg-115-nexperia-82233846
Обзор
Ознакомьтесь с основной общей информацией, свойствами и характеристиками компонента, а также его соответствием отраслевым стандартам и нормативным актам.
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Справочник данных
Получите полное представление о электронном компоненте, загрузив его техническое описание. Этот PDF-документ содержит все необходимые детали, такие как обзор продукта, особенности, спецификации, рейтинги, схемы, применение и многое другое.
Предварительный просмотр справочника
(Latest Версия)Параметры
Параметрическая информация отображает важные характеристики и показатели производительности компонента, что помогает инженерам и менеджерам по цепочке поставок сравнивать и выбирать наиболее подходящий электронный компонент для своих приложений и потребностей.