Datasheets
ZTX449STZ

ZTX449STZ

Diodes Incorporated

Описание:

Trans GP BJT NPN 30V 1A 1000mW 3-Pin E-Line Box

Страна происхождения:

China

Дата ввода в эксплуатацию:

Oct 29, 1997

Обновлено:17-OCT-2024

Показать больше GP BJT от Diodes Incorporated
Ссылочные конструкции
Характеристики детали

Обзор

Ознакомьтесь с основной общей информацией, свойствами и характеристиками компонента, а также его соответствием отраслевым стандартам и нормативным актам.

Жизненный циклПремиум
EU RoHS Yes
Версия RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Автомобильная промышленность No
Код поставщика CAGE6M0U4
8541290075
График B8541290080
PPAP No
Сертифицировано AEC No
Путь категории
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT

Справочник данных

Получите полное представление о электронном компоненте, загрузив его техническое описание. Этот PDF-документ содержит все необходимые детали, такие как обзор продукта, особенности, спецификации, рейтинги, схемы, применение и многое другое.

Техническое описание поставщика
(Внешняя ссылка)
Скачать PDF
(Latest Версия)

Предварительный просмотр справочника

(Latest Версия)

Корпус

Информация об упаковке компонента содержит важные детали о размере, весе и упаковке продукта. Это помогает инженерам определить, соответствует ли продукт их требованиям и ожиданиям.

Basic Package Type
Package Family Name
Supplier Package
Package Description
Lead Shape
Pin Count
PCB
Package Diameter (mm)
Package Material
Mounting
Package Outline
Jedec

Производство

Информация о производстве указывает технические требования и спецификации для производства и сборки компонента. Эта информация является ключевой для производителей для поддержания качества и надежности компонентов и обеспечения их совместимости с другими устройствами и компонентами.

Параметры

Параметрическая информация отображает важные характеристики и показатели производительности компонента, что помогает инженерам и менеджерам по цепочке поставок сравнивать и выбирать наиболее подходящий электронный компонент для своих приложений и потребностей.

линейка продуктов
Maximum Offset Voltage
Collector Current for VCE Saturation
Minimum Transition Frequency
Typical Transition Frequency
Maximum Pulsed Collector Current
Process Technology
Maximum Diode Forward Voltage
Supplier Temperature Grade
Minimum Storage Temperature
Maximum Collector Cut-Off Current
Maximum Emitter Cut-Off Current
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Input Capacitance
Typical Output Capacitance
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Output Power
Maximum Storage Temperature
Maximum Base Current
Operating Junction Temperature
Maximum Turn-On Time
Maximum Storage Time
Maximum Fall Time
Maximum Turn-Off Time
Maximum Noise Figure
Maximum Delay Time
Maximum Rise Time
Тип
Configuration
Number of Elements per Chip
Maximum Collector Base Voltage
Maximum Emitter Base Voltage
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Material
Minimum DC Current Gain
Maximum Transition Frequency
Категория
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

Справочные проекты

Откройте для себя исpiration и руководство с нашей коллекцией ссылок на проекты. Исследуйте практические реализации, демонстрирующие возможности электронного компонента. Ускорьте процесс разработки и создавайте эффективные решения с подробной документацией и схематиками.

High Efficiency Hybrid DC-DC Converter Reference Design
High Efficiency Hybrid DC-DC Converter Reference Design

Аналоги

Интересует больше бесплатных данных?

Откройте для себя аналог по форме, соответствию и функции от другого производителя или даже подходящие обновления и понижения, и многое другое.

Перейти к премиум-версии

Нет кредитной карты. Нет обязательств.