2SC2904
ASI Semiconductor, Inc| Описание: | Trans RF BJT NPN 20V 22A 200000mW 6-Pin Case .500 |
| Страна происхождения: | United States of America |
| Дата ввода в эксплуатацию: | Oct 11, 2007 |
Обновлено: +90 дней | |
Показать больше RF BJT от ASI Semiconductor, Inc | |
Онлайн-версия:https://www.datasheets.com/ru/part-details/2sc2904-asi-semiconductor--inc-102074631
Обзор
Ознакомьтесь с основной общей информацией, свойствами и характеристиками компонента, а также его соответствием отраслевым стандартам и нормативным актам.
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > RF BJT
Справочник данных
Получите полное представление о электронном компоненте, загрузив его техническое описание. Этот PDF-документ содержит все необходимые детали, такие как обзор продукта, особенности, спецификации, рейтинги, схемы, применение и многое другое.
Параметры
Параметрическая информация отображает важные характеристики и показатели производительности компонента, что помогает инженерам и менеджерам по цепочке поставок сравнивать и выбирать наиболее подходящий электронный компонент для своих приложений и потребностей.