2N5109UBJ
Semicoa SemiconductorsОписание: | Trans RF BJT NPN 20V 0.4A 1000mW 4-Pin CSOT-23 |
Страна происхождения: | United States of America |
Дата ввода в эксплуатацию: | Aug 22, 2002 |
Обновлено:29-OCT-2024 | |
Показать больше RF BJT от Semicoa Semiconductors | |
Онлайн-версия:https://www.datasheets.com/ru/part-details/2n5109ubj-semicoa-semiconductors-41965665
Обзор
Ознакомьтесь с основной общей информацией, свойствами и характеристиками компонента, а также его соответствием отраслевым стандартам и нормативным актам.
Жизненный циклПремиум
EU RoHS No
Версия RoHS2011/65/EU, 2015/863
Путь категории
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > RF BJT
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > RF BJT
Справочник данных
Получите полное представление о электронном компоненте, загрузив его техническое описание. Этот PDF-документ содержит все необходимые детали, такие как обзор продукта, особенности, спецификации, рейтинги, схемы, применение и многое другое.
