2N3866JX
Semicoa SemiconductorsОписание: | RF Epitaxial Bipolar Transistor |
Страна происхождения: | United States of America |
Дата ввода в эксплуатацию: | Jun 22, 1999 |
Обновлено:29-OCT-2024 | |
Показать больше RF BJT от Semicoa Semiconductors | |
Онлайн-версия:https://www.datasheets.com/ru/part-details/2n3866jx-semicoa-semiconductors-46475876
Обзор
Ознакомьтесь с основной общей информацией, свойствами и характеристиками компонента, а также его соответствием отраслевым стандартам и нормативным актам.
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > RF BJT
Справочник данных
Получите полное представление о электронном компоненте, загрузив его техническое описание. Этот PDF-документ содержит все необходимые детали, такие как обзор продукта, особенности, спецификации, рейтинги, схемы, применение и многое другое.
Предварительный просмотр справочника
(Latest Версия)Параметры
Параметрическая информация отображает важные характеристики и показатели производительности компонента, что помогает инженерам и менеджерам по цепочке поставок сравнивать и выбирать наиболее подходящий электронный компонент для своих приложений и потребностей.
