2N2907A
ASI Semiconductor, IncОписание: | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1800mW 3-Pin TO-18 |
Страна происхождения: | United States of America |
Дата ввода в эксплуатацию: | Jan 6, 1999 |
Обновлено:14-NOV-2024 | |
Показать больше GP BJT от ASI Semiconductor, Inc |
Онлайн-версия:https://www.datasheets.com/ru/part-details/2n2907a-asi-semiconductor--inc-95744295
Обзор
Ознакомьтесь с основной общей информацией, свойствами и характеристиками компонента, а также его соответствием отраслевым стандартам и нормативным актам.
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Параметры
Параметрическая информация отображает важные характеристики и показатели производительности компонента, что помогает инженерам и менеджерам по цепочке поставок сравнивать и выбирать наиболее подходящий электронный компонент для своих приложений и потребностей.
Вы должны войти в систему, чтобы просмотреть ограниченную информацию.
Справочные проекты
Откройте для себя исpiration и руководство с нашей коллекцией ссылок на проекты. Исследуйте практические реализации, демонстрирующие возможности электронного компонента. Ускорьте процесс разработки и создавайте эффективные решения с подробной документацией и схематиками.