Datasheets
RFP25N05

RFP25N05

New Jersey Semiconductor

Descrição:

Trans MOSFET N-CH 50V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

País de origem:

United States of America

Data de introdução:

Mar 9, 2008

Atualizado:24-NOV-2024

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Especificações da Peça

Visão geral

Familiarize-se com as informações gerais, propriedades e características fundamentais do componente, juntamente com sua conformidade com as normas e regulamentos da indústria.

Ciclo de VidaPremium
EU RoHS Unknown
Versão RoHS2002/95/EC
EAR99
Automotivo No
Código CAGE do Fornecedor2D085
PPAP No
Qualificado AEC No
Caminho da Categoria
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs

Fabricação

As informações de fabricação especificam os requisitos técnicos e as especificações para a produção e montagem do componente. Essas informações são cruciais para os fabricantes manterem a qualidade e confiabilidade dos componentes e garantirem que sejam compatíveis com outros dispositivos e componentes.

Reflow Temp. Source
Wave Temp. Source

Paramétrico

As informações paramétricas exibem características vitais e métricas de desempenho do componente, o que ajuda os engenheiros e gerentes da cadeia de suprimentos a comparar e escolher o componente eletrônico mais adequado para suas aplicações e necessidades.

linha de produto
Breakdown Voltage Type
Minimum DC Current Gain
Typical Switch Charge
Typical Gate Resistance
Typical Reverse Recovery Charge
Typical Forward Transconductance
Tradename
Minimum Gate Threshold Voltage
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Maximum Offset Voltage
Maximum Positive Gate Source Voltage
Minimum Gate Resistance
Maximum Gate Resistance
Typical Gate Threshold Voltage
Typical Diode Forward Voltage
Maximum Diode Forward Voltage
Typical Reverse Recovery Time
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Maximum Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Maximum Gate Source Leakage Current
Minimum Storage Temperature
Typical Gate to Drain Charge
Typical Gate to Source Charge
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Supplier Temperature Grade
Typical Turn-On Delay Time
Configuration
Maximum Absolute Continuous Drain Current
Categoria
Channel Mode
Channel Type
Number of Elements per Chip
Process Technology
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Material
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Maximum IDSS
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Input Capacitance @ Vds
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Typical Output Capacitance

Referências cruzadas

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