Datasheets
PD57070-E

PD57070-E

STMicroelectronics

Descrição:

Trans RF MOSFET N-CH 65V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube

País de origem:

Morocco

Data de introdução:

Jul 13, 2006

Atualizado:15-NOV-2024

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Especificações da PeçaPreço e Disponibilidade

Visão geral

Familiarize-se com as informações gerais, propriedades e características fundamentais do componente, juntamente com sua conformidade com as normas e regulamentos da indústria.

Ciclo de VidaPremium
EU RoHSYes with Exemption
Versão RoHS2011/65/EU, 2015/863
Caminho da Categoria
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > RF FETs

Ficha técnica

Obtenha uma compreensão abrangente do componente eletrônico baixando sua folha de dados. Este documento em PDF inclui todos os detalhes necessários, como visão geral do produto, características, especificações, classificações, diagramas, aplicações e muito mais.

Ficha de dados do fornecedor
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Pré-visualização da folha de dados

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Fabricação

As informações de fabricação especificam os requisitos técnicos e as especificações para a produção e montagem do componente. Essas informações são cruciais para os fabricantes manterem a qualidade e confiabilidade dos componentes e garantirem que sejam compatíveis com outros dispositivos e componentes.

Reflow Temp. Source

Paramétrico

As informações paramétricas exibem características vitais e métricas de desempenho do componente, o que ajuda os engenheiros e gerentes da cadeia de suprimentos a comparar e escolher o componente eletrônico mais adequado para suas aplicações e necessidades.

linha de produto
Supplier Temperature Grade
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Typical Gate Threshold Voltage
Breakdown Voltage Type
Minimum Gate Threshold Voltage
Tipo
Typical Power 1dB Compression
Material
Typical Forward Transconductance
Typical Output Capacitance @ Vds
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Types of Output Stages
Typical Power Gain @ Vds
Maximum VSWR
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Process Technology
Maximum Gate Source Leakage Current
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Duty Cycle
Typical Turn-On Delay Time
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Drain Efficiency
Maximum Noise Figure
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Channel Type
Configuration
Channel Mode
Number of Elements per Chip
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Minimum Frequency
Maximum Frequency
Maximum Power Dissipation
Mode of Operation
Typical Power Gain
Output Power
Maximum IDSS
Typical Input Capacitance @ Vds
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

Referências cruzadas

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