MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR
Micron TechnologyDescrição: | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R Automotive AEC-Q100 |
Atualizado:10-DEC-2024 | |
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Versão online:https://www.datasheets.com/pt/part-details/mt53e512m32d1zw-046-ait-b-tr-micron-technology-1851656288
Visão geral
Familiarize-se com as informações gerais, propriedades e características fundamentais do componente, juntamente com sua conformidade com as normas e regulamentos da indústria.
Ciclo de VidaPremium
EU RoHS Yes
Versão RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Automotivo Yes
Código CAGE do Fornecedor6Y440
Qualificado AEC Yes
Caminho da Categoria
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Paramétrico
As informações paramétricas exibem características vitais e métricas de desempenho do componente, o que ajuda os engenheiros e gerentes da cadeia de suprimentos a comparar e escolher o componente eletrônico mais adequado para suas aplicações e necessidades.
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linha de produto
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
Tipo
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits