K4T51163QQ-BCE6
Samsung ElectronicsDescrição: | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA |
Data de introdução: | Feb 25, 2014 |
Atualizado:+90 dias | |
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Versão online:https://www.datasheets.com/pt/part-details/k4t51163qq-bce6-samsung-electronics-61096345
Visão geral
Familiarize-se com as informações gerais, propriedades e características fundamentais do componente, juntamente com sua conformidade com as normas e regulamentos da indústria.
Ciclo de VidaPremium
EU RoHS Yes
Versão RoHS2011/65/EU, 2015/863
Caminho da Categoria
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
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Ficha técnica
Obtenha uma compreensão abrangente do componente eletrônico baixando sua folha de dados. Este documento em PDF inclui todos os detalhes necessários, como visão geral do produto, características, especificações, classificações, diagramas, aplicações e muito mais.