Datasheets
K4B2G0446C-HCF8

K4B2G0446C-HCF8

Samsung Electronics

Descrição:

DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 512Mx4 1.5V

Data de introdução:

Dec 17, 2009

Atualizado:+90 dias

Ver mais DRAM Chip por Samsung Electronics
Especificações da Peça

Visão geral

Familiarize-se com as informações gerais, propriedades e características fundamentais do componente, juntamente com sua conformidade com as normas e regulamentos da indústria.

Ciclo de VidaPremium
Caminho da Categoria
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip

Ficha técnica

Obtenha uma compreensão abrangente do componente eletrônico baixando sua folha de dados. Este documento em PDF inclui todos os detalhes necessários, como visão geral do produto, características, especificações, classificações, diagramas, aplicações e muito mais.

Download em PDF
(Latest Versão)

Pré-visualização da folha de dados

(Latest Versão)

Paramétrico

As informações paramétricas exibem características vitais e métricas de desempenho do componente, o que ajuda os engenheiros e gerentes da cadeia de suprimentos a comparar e escolher o componente eletrônico mais adequado para suas aplicações e necessidades.

linha de produto
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
Tipo
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits

Referências cruzadas

Interessado em mais dados gratuitos?

Descubra um equivalente de forma-ajuste-função de outro fabricante ou até mesmo atualizações e desatualizações adequadas, e muito mais.

Atualize para Premium

Sem cartão de crédito. Sem compromisso.