K4B1G1646G-BYH9
Samsung ElectronicsDescrição: | DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin FBGA |
Data de introdução: | Apr 21, 2016 |
Atualizado:+90 dias | |
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Versão online:https://www.datasheets.com/pt/part-details/k4b1g1646g-byh9-samsung-electronics-414099148
Visão geral
Familiarize-se com as informações gerais, propriedades e características fundamentais do componente, juntamente com sua conformidade com as normas e regulamentos da indústria.
Ciclo de VidaPremium
EAR99
Automotivo No
Código CAGE do Fornecedor1542F
8542320032
SCHEDULE B8542320015
PPAP No
Qualificado AEC No
Caminho da Categoria
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Ficha técnica
Obtenha uma compreensão abrangente do componente eletrônico baixando sua folha de dados. Este documento em PDF inclui todos os detalhes necessários, como visão geral do produto, características, especificações, classificações, diagramas, aplicações e muito mais.
